DRAM
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而查看詳情>導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說,周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布全新內(nèi)存固態(tài)盤:近DRAM的性能,4TB容量
根據(jù)西部數(shù)據(jù)官方的消息,西數(shù)發(fā)布了新款Ultrastar® DC ME200 內(nèi)存擴(kuò)展固態(tài)盤,可優(yōu)化內(nèi)存系統(tǒng)容量/性能,從而運(yùn)行對(duì)內(nèi)存有著高要求的應(yīng)用,滿足當(dāng)今實(shí)時(shí)分析和業(yè)務(wù)洞察的需求。
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中興事件再起,美國(guó)發(fā)布“晉華禁令”,這次遭殃的是存儲(chǔ)芯片DRAM
具體來說,美國(guó)方面認(rèn)為福建晉華即將大規(guī)模生產(chǎn)的DRAM,其技術(shù)可能源于美國(guó),且量產(chǎn)之后會(huì)威脅到美國(guó)軍用系統(tǒng)供應(yīng)商的長(zhǎng)期經(jīng)營(yíng)利益。
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