文|錢眼君

來源|博望財經

本篇涉及到的主要名詞解釋：

DDR：雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，主要應用在個人計算機、服務器上；LPDDR為Low Power DDR，主要應用于移動端電子產品；DDR/LPDDR為DRAM目前應用最廣的類型，兩者合計占DRAM應用比例約為90%。從DDR1到DDR5演變看，DDR的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大。

HBM：高帶寬存儲器High Bandwidth Memory，簡稱HBM，是超微半導體和SKHynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網絡交換及轉發(fā)設備，如路由器、交換器等。

穿過當下沸騰的喧囂，我們看到存儲產業(yè)正處在一個罕見的“三重共振”節(jié)點上：

首先從技術層面看，從2D到3D NAND，從DDR4到DDR5/LPDDR5，再到HBM，技術代際切換清晰。

第二，在需求層面，AI引爆的“超級周期”創(chuàng)造了結構性需求暴漲，且持續(xù)時間可能長達數(shù)年。

第三，從供給角度看，國際巨頭為追逐AI高端市場利潤，主動讓出中端產能，造成歷史性供給缺口。

基于以上三點，筆者認為中國本土存儲廠商將迎來前所未有的戰(zhàn)略機遇期，我們具體分析：

01

超級周期的內核：AI重塑下的產業(yè)鏈博弈

在《上篇》理解了存儲行業(yè)歷史背景與現(xiàn)狀后，我們得以更清晰地透視當前“超級周期”的本質，即它并不是傳統(tǒng)的供需錯配，而是由技術代際更替，即AI算力革命驅動的、對全球存儲產業(yè)鏈格局的一次深度重塑與利益再分配——

1、需求側的“核裂變”：從消費電子到AI基礎設施

驅動力的根本性轉變，是此輪周期的核心特征，包括兩個方向：

一是存儲類產品價格已進入上行周期。NAND價格歷來呈現(xiàn)劇烈的周期性波動。2017年達到峰值后，因供應過剩和需求疲軟，價格持續(xù)下跌至2022年，并于2023年跌至多年低點。2024年的反彈是自2017年以來最強勁的復蘇。

此外，DDR4 DRAM產品雖已逐步退出主流產能，但供應短缺仍導致價格加速上漲。據(jù)權威媒體2025年12月報道，16GB DDR4內存條價格較去年同期漲幅超過200%。

圖：DRAM現(xiàn)貨平均價格--ifinD資訊、大同證券

DDR5合約價預期季度漲幅達30%-50%。在消費電子、企業(yè)級SSD、汽車電子等領域，存在著對高性價比、穩(wěn)定供應產品的強烈需求。另外，當前國內各大云計算廠商（阿里云、騰訊云等等）對于AI投入不遺余力，內存方面的年采購規(guī)模超千億元，同時為保障供應鏈的持續(xù)和穩(wěn)定，也持續(xù)加大對國產芯片的采購比例。這些現(xiàn)象均顯示，不僅是單個產品類別的上漲，而是整個存儲產業(yè)的上行趨勢正在逐漸成形。

二是存儲芯片的角色，正從原來智能手機、PC等消費電子的“成本部件”，升級為AI數(shù)據(jù)中心和算力設施的“戰(zhàn)略核心模塊”。這一轉變伴隨著需求量和價值量的雙重躍升，一個是量級躍升，一臺AI服務器對DRAM和NAND的需求量，分別約為普通服務器的8倍和3倍。一個具有代表性的例子是，2025年10月，OpenAI提出的“星際之門”計劃，一次性就鎖定了每月高達90萬片DRAM晶圓的供應，這一家的需求量就相當于全球產量的40%。

另一個是價值重構。同等規(guī)格的LPDDR5 DRAM，用于AI服務器的價格可達消費電子類產品的1.5倍。TrendForce預計，到2026年，AI與服務器應用將占據(jù)DRAM總產能的66%，并帶動整體營收飆升56%……這種“核裂變”式的需求增長，迫使產業(yè)鏈上游重新思考資源分配邏輯。

2、供給側的戰(zhàn)略抉擇：巨頭的決定

面對利潤豐厚的AI高端市場（如HBM、高頻DDR5），三星、美光、SK海力士三大巨頭做出了近乎一致的、利潤最大化的兩項戰(zhàn)略傾斜：一方面是產能聚焦，將先進制程產能大規(guī)模轉向HBM、DDR5等高端產品。另一方面是主動收縮，甚至完全停產DDR4、DDR3等前代產品線。

圖：證券時報相關報道

從時間軸來看，存儲芯片最早是從2025年4月開始提價，當時三星率先宣布將逐步停止生產DDR4內存顆粒，從而專注于生產更高端、利潤更高的DDR5、LPDDR5和HBM內存。此后SK海力士也開始逐步減少DDR4產能，計劃將其產能壓縮至20%左右。美光更是在近期宣布退出旗下Crucial（英睿達）品牌的消費級業(yè)務……

收縮戰(zhàn)略的后果，是人為制造了一個巨大的“中端市場供給缺口”——巨頭們奔向下一個“金礦”，卻留下了廣闊的“腹地”。這直接導致了消費電子、傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領域的客戶，面臨前所未有的供應不確定性和成本壓力，供應安全的焦慮前所未有。

3、產業(yè)鏈模式的分化與演進

在這場變局中，產業(yè)鏈的組織模式也在動態(tài)調整。傳統(tǒng)的IDM模式下（如三星、美光等國際巨頭）憑借對設計、制造、封測全鏈條的掌控，能最大程度保障高端產品的供應和利潤。這種模式資本壁壘極高，幾乎沒有快速“超車”的可能。對于后發(fā)者，特別是中國廠商，發(fā)展路徑則呈現(xiàn)多樣性。初期多以輕資產的Fabless、Foundry等模式切入市場。但隨著規(guī)模壯大和對自主可控的追求，部分國產核心企業(yè)已逐步走向IDM模式，以掌控核心技術命脈。與此同時，像江波龍這樣的企業(yè)，還探索出了TCM（技術合約制造）與 PTM（產品技術制造）雙模式，在產業(yè)鏈特定環(huán)節(jié)構筑深度和靈活性，快速響應本土化定制需求。

“超級周期”的本質，是一次全球存儲產業(yè)價值鏈的劇烈重構。AI需求在產業(yè)鏈頂端創(chuàng)造了一個高利潤的“引力奇點”，吸引了絕大多數(shù)頂級產能，卻在下方撕裂出一個巨大的市場空間。這個空間，正是國產力量實現(xiàn)規(guī)模突破和生態(tài)構建的關鍵戰(zhàn)場。

02

國產突圍：在機遇與挑戰(zhàn)中爬坡上行

站在歷史性的機遇窗口前，中國本土存儲產業(yè)已不再是旁觀者，而是具備了技術、產能和產業(yè)鏈協(xié)同能力的核心參與者。

國產力量的崛起，正依托于“天時、地利、人和”匯聚而成的獨特勢能。天時，是AI“超級周期”所創(chuàng)造的歷史性時間窗口——國際巨頭為追逐高端利潤而主動讓出的中端供給缺口與價格空間，為國產芯片提供了寶貴的客戶導入與產能爬坡期，這一窗口可能持續(xù)數(shù)年，是確立市場地位的黃金時期。

地利，則源于中國龐大且層次豐富的內需市場：消費電子中端機型的配置升級、云計算巨頭（如阿里云、騰訊云）為保障供應鏈安全而持續(xù)加大的千億級本土采購、以及智能汽車（尤其是L3+自動駕駛）對存儲需求的十倍級增長，共同構成了國產芯片替代的堅實土壤和天然試驗場。

人和，體現(xiàn)在關鍵技術的突破與產業(yè)生態(tài)的初成——國產廠商的最新技術在主流賽道已實現(xiàn)“并跑”；與此同時，從材料設備、芯片設計到模組封測的本土協(xié)同網絡正在加速形成。

然而，這些優(yōu)勢并不能自動轉化為勝勢，通往全球領先的道路上依然關卡重重。國產廠商首要的挑戰(zhàn)是技術追趕的持久戰(zhàn)，在最前沿的HBM等領域，國際巨頭已競逐至HBM4并采用更先進制程，技術迭代極快，本土廠商存在代際差距，需要持續(xù)投入巨量研發(fā)，就仿佛在向一個陡峭的山坡上奮力前行——抬頭，新的技術目標已可看見；回頭，過往突破的喜悅已悄然不見。追逐最新技術，是一條荊棘叢生、只能向前走的漫長路。

更深層的考驗在于規(guī)模與成本的生死線。存儲行業(yè)是典型的規(guī)模經濟，國際巨頭的“游戲規(guī)律”是，巨量投入研發(fā)占領技術高地、完善產業(yè)鏈，實現(xiàn)量產后迅速占領市場，然后憑借全球市占率攤薄天文數(shù)字的研發(fā)與制造成本，再投入巨量成本投入新技術的研發(fā)，一刻不停，沒有最卷只有更卷。本土廠商在產能爬坡期將長期面臨嚴峻的成本競爭壓力。

而更深遠且復雜的挑戰(zhàn)，則來自生態(tài)與標準的全球博弈。存儲芯片是高度標準化的全球性產品，要真正融入乃至影響全球供應鏈、獲得國際主流認證、參與下一代標準制定，是比單純技術突破更復雜、更長期的系統(tǒng)性工程，地緣政治因素更為此增添了諸多不確定性。

國產存儲的崛起，絕非一場輕松的替代，而是一場需要在技術研發(fā)、產能擴張、市場開拓、生態(tài)建設和全球合規(guī)等多條戰(zhàn)線上同步推進、不容有失的“立體戰(zhàn)爭”。當前，國內存儲領域的公司主要有哪些，他們的表現(xiàn)如何呢？我們在下篇中繼續(xù)分析。

       原文標題 : AI狂飆下的存儲芯片的國產突圍戰(zhàn)（二）